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1AZ6.8


si z- diode
GFX
UZ 6.8V
IZ 10mA
rdiff 60Ω
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
the 1AZ6.8 is a silicon Z-diode, Uz = 6.8V, Iz = 10mA
Image: -
Source: datasheet
informations plus avancées pour 1AZ6.8
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: 3-3E1A
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
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Composant rech.:recherche

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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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