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BUP300
SI N-IGBT transistor
U
CE
1200V
U
GE
±20V
I
C
3.5A
P
tot
50W
f
T
-
T
J
150°C
le BUP300 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: Type universel
Image:
-
Source:
SH SIPMOS Halbleiter 1993......
[plus]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Informations plus avancées pour BUP300
OEM:
Siemens AG
Package:
TO-218AA
Fiche technique (jpg):
disponible
Fiche technique (pdf):
-
OEM Fiche technique:
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Type complémentaire:
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↓
GT8Q101
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Siemens AG
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