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BUP313D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
le BUP313D c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 32A, d´application: Type universel, diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour BUP313D
OEM:Siemens AG
Package: TO-3P
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:BUP307D
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Composant rech.:recherche

BUP313D


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GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
le BUP313D c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 32A, d´application: Type universel, diode intégrée
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UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

BUP307D


SI N-IGBT transistor
similar to BUP313D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
le BUP307D c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: Type universel, diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: BUP307D
OEM:Siemens AG
Package: TO-3P
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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Liste des type similaires:BUP314D
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BUP307D


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UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.