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GT25J101


SI N-IGBT transistor
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
le GT25J101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 25A, d´application: pilote de moteur, Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour GT25J101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-16C1C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:GN6030C
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Composant rech.:recherche

GT25J101


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UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/500nS
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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