table de données du transistor GT40T101
 
 
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GT40T101


SI N-IGBT transistor

Uce: 1500V
Uge: ±25V
Ic: DC/AC 40/80A
N: 200W
Ton/Toff: 700/500nS
Tmax: 150°C
le GT40T101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.5kV, Ic = 40A, d´application: Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour GT40T101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F2C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
Type complémentaire:
-
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GT40T101


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Uce: 1500V
Uge: ±25V
Ic: DC/AC 40/80A
N: 200W
Ton/Toff: 700/500nS
Tmax: 150°C
le GT40T101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.5kV, Ic = 40A, d´application: Transistor de commutation de puissance
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Uce: 1500V
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Ic: DC/AC 40/80A
N: 200W
Ton/Toff: 700/500nS
Tmax: 150°C
le GT40T101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.5kV, Ic = 40A, d´application: Transistor de commutation de puissance
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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