GT40T101 SI N-IGBT transistor | | Uce: | 1500V | | Uge: | ±25V | Ic: DC/AC | 40/80A | N: | 200W | Ton/Toff: | 700/500nS | Tmax: | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | informations plus avancées pour GT40T101 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | Type complémentaire:
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