Lookbooks
R
X
G
Page:
navigation

GT50J301


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
le GT50J301 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: Transistor de commutation de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour GT50J301
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F2C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:MGY30N60D
Recherche des type similaires:-
Composant rech.:recherche

GT50J301


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
le GT50J301 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: Transistor de commutation de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour GT50J301
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F2C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:MGY30N60D
Recherche des type similaires:-
Composant rech.:recherche

GT50J301


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
le GT50J301 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: Transistor de commutation de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour GT50J301
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F2C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:MGY30N60D
Recherche des type similaires:-
Composant rech.:recherche