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GT60M103


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
le GT60M103 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:TOP-3L
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:GN9060E
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Composant rech.:recherche

GT60M103


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GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
le GT60M103 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
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Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
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