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table de données du transistor IGT4D10

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IGT4D10


SI N-IGBT transistor

TO-220
Uce: 400V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
le IGT4D10 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 400V, Ic = 18A, d´application: Niveaux de performance
Source: Jaeger electronic catalog 1999
Image: -
informations plus avancées pour IGT4D10

OEM:General Electric Co. GEC
Package: TO-220
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:BUP400, BUK856-400IZ, MGP20N45.. MGP20N50
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