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MG500Q1US1


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 0.5/1A
Ptot 2.4kW
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
le MG500Q1US1 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 500A, d´application: Transistor de commutation de puissance, contrôle moteur
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Informations plus avancées pour MG500Q1US1
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-109A4A
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
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MG500Q1US1


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