table de données du transistor MG8Q6ES42
 
 


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MG8Q6ES42


SI N-IGBT transistor

Uce: 1200V
Uge: ±20V
Ic: DC/AC 8/16A
N: 80W
Ton/Toff: 400/800nS
Tmax: 150°C
le MG8Q6ES42 c´est transistor silicium 6x N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 8A, d´application: Transistor de commutation de puissance, contrôle moteur
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Image: -
informations plus avancées pour MG8Q6ES42
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-93A3A
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
Type complémentaire:
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