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MG8Q6ES42
SI N-IGBT transistor
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Uce:
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1200V
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Uge:
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±20V
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Ic: DC/AC
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8/16A
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N:
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80W
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Ton/Toff:
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400/800nS
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Tmax:
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150°C
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Source:
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Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
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Image:
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| | informations plus avancées pour MG8Q6ES42 | | OEM: | Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Package: | 2-93A3A | | Fiche technique (jpg): | disponible | | Fiche technique (pdf): | disponible | Type complémentaire:
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