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MGW12N120D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
le MGW12N120D c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 20A, d´application: Transistor de puissance (type universel), diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [plus]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Package: TO-247
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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Liste des type similaires:BUP313D
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MGW12N120D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
le MGW12N120D c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 20A, d´application: Transistor de puissance (type universel), diode intégrée
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IC 20A
Ptot 123W
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le MGW12N120D c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 20A, d´application: Transistor de puissance (type universel), diode intégrée
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

BUP313D


SI N-IGBT transistor
similar to MGW12N120D, see note
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
le BUP313D c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 32A, d´application: Type universel, diode intégrée
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Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: BUP313D
OEM:Siemens AG
Package: TO-3P
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UGE 20V
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UGE 20V
IC 32A
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OEM:Siemens AG
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