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MGW20N120


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
TON/TOFF 191/474nS
TJ -
le MGW20N120 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 28A, d´application: Transistor de puissance (type universel)
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour MGW20N120
OEM:Motorola Sem... [plus]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Package: TO-247
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires: ↑GN12030E, [plus]
GN12030E,GT25Q101
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Composant rech.:recherche

MGW20N120


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
TON/TOFF 191/474nS
TJ -
le MGW20N120 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 28A, d´application: Transistor de puissance (type universel)
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour MGW20N120
OEM:Motorola Sem... [plus]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Package: TO-247
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OEM Fiche technique:-
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GN12030E,GT25Q101
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MGW20N120


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
TON/TOFF 191/474nS
TJ -
le MGW20N120 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 28A, d´application: Transistor de puissance (type universel)
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour MGW20N120
OEM:Motorola Sem... [plus]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Package: TO-247
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires: ↑GN12030E, [plus]
GN12030E,GT25Q101
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Composant rech.:recherche
Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

GN12030E


SI N-IGBT transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
le GN12030E c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires: ↑GT40T101, [plus]
GT40T101,MGY25N120
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Composant rech.:recherche

GN12030E


SI N-IGBT transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
le GN12030E c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
Fiche technique (jpg):-
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GT40T101,MGY25N120
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GN12030E


SI N-IGBT transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
le GN12030E c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
Fiche technique (jpg):-
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OEM Fiche technique:-
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GT40T101,MGY25N120
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

GT25Q101


SI N-IGBT transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
le GT25Q101 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 25A, d´application: pilote de moteur, Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Type similaire: GT25Q101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F1C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
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GT25Q101


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
le GT25Q101 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 25A, d´application: pilote de moteur, Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Type similaire: GT25Q101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F1C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
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GT25Q101


SI N-IGBT transistor
similar to MGW20N120, see note
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 25/50A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
le GT25Q101 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 25A, d´application: pilote de moteur, Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Type similaire: GT25Q101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F1C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.
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