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MGY30N60D SI N-IGBT transistor | | UCE | 600V | | UGE | 20V | IC | 50A | Ptot | 202W | TON/TOFF | 156/536nS | TJ | - | Image: | - | Source: | Jaeger electronic catalog...... [plus] Jaeger electronic catalog 1999 | | Informations plus avancées pour MGY30N60D | OEM: | Motorola Sem... [plus] Motorola Semiconductor Products Inc. | Package: | TOP-3L | Fiche technique (jpg): | - | Fiche technique (pdf): | - | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | GT50J301, [plus] GT50J301,GT60M301 | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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MGY30N60D SI N-IGBT transistor | | UCE | 600V | | UGE | 20V | IC | 50A | Ptot | 202W | TON/TOFF | 156/536nS | TJ | - | Image: | - | Source: | Jaeger electronic catalog...... [plus] Jaeger electronic catalog 1999 | |
| Informations plus avancées pour MGY30N60D | OEM: | Motorola Sem... [plus] Motorola Semiconductor Products Inc. | Package: | TOP-3L | Fiche technique (jpg): | - | Fiche technique (pdf): | - | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | GT50J301, [plus] GT50J301,GT60M301 | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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MGY30N60D SI N-IGBT transistor | | UCE | 600V | | UGE | 20V | IC | 50A | Ptot | 202W | TON/TOFF | 156/536nS | TJ | - | Image: | - | Source: | Jaeger electronic catalog...... [plus] Jaeger electronic catalog 1999 | | Informations plus avancées pour MGY30N60D | OEM: | Motorola Sem... [plus] Motorola Semiconductor Products Inc. | Package: | TOP-3L | Fiche technique (jpg): | - | Fiche technique (pdf): | - | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | GT50J301, [plus] GT50J301,GT60M301 | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.
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GT50J301 SI N-IGBT transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Type similaire: GT50J301 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | MGY30N60D | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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GT50J301 SI N-IGBT transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Type similaire: GT50J301 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | MGY30N60D | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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GT50J301 SI N-IGBT transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Type similaire: GT50J301 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | MGY30N60D | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.
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GT60M301 SI N-IGBT transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Type similaire: GT60M301 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | - | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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GT60M301 SI N-IGBT transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Type similaire: GT60M301 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | - | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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GT60M301 SI N-IGBT transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Type similaire: GT60M301 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire: | - | Liste des type similaires: ↑ | - | Recherche des type similaires: | - | | Composant rech.: | recherche |
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.