Lookbooks
R
X
G
Page:

B632


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -2A
hFE -
Ptot 10W
fT 100MHz
TJ -
le B632 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 2A, d´application: transistor de puissance
Image: -
Source: 2SB632
Informations plus avancées pour B632
OEM:Tokyo Sanyo... [plus]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD612
Liste des type similaires:BD330, [plus]
BD330,BD376,2SB1009
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

B632


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -2A
hFE -
Ptot 10W
fT 100MHz
TJ -
le B632 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 2A, d´application: transistor de puissance
Image: -
Source: 2SB632
Informations plus avancées pour B632
OEM:Tokyo Sanyo... [plus]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD612
Liste des type similaires:BD330, [plus]
BD330,BD376,2SB1009
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

B632


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -2A
hFE -
Ptot 10W
fT 100MHz
TJ -
le B632 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 2A, d´application: transistor de puissance
Image: -
Source: 2SB632
Informations plus avancées pour B632
OEM:Tokyo Sanyo... [plus]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD612
Liste des type similaires:BD330, [plus]
BD330,BD376,2SB1009
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche
Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

BD330


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -20/-32V
IC -3A
hFE 85-375
Ptot 15W
fT 100MHz
TJ 150°C
le BD330 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 20V, Ic = 3A, d´application: amplificateur de puissance, Transistor de commutation
Image: -
Source: Va Valvo Halbleiterbauele...... [plus]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Type similaire: BD330
OEM:Valvo GmbH
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:2SB772, [plus]
2SB772,2SB986
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

BD330


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -20/-32V
IC -3A
hFE 85-375
Ptot 15W
fT 100MHz
TJ 150°C
le BD330 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 20V, Ic = 3A, d´application: amplificateur de puissance, Transistor de commutation
Image: -
Source: Va Valvo Halbleiterbauele...... [plus]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Type similaire: BD330
OEM:Valvo GmbH
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:2SB772, [plus]
2SB772,2SB986
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

BD330


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -20/-32V
IC -3A
hFE 85-375
Ptot 15W
fT 100MHz
TJ 150°C
le BD330 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 20V, Ic = 3A, d´application: amplificateur de puissance, Transistor de commutation
Image: -
Source: Va Valvo Halbleiterbauele...... [plus]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Type similaire: BD330
OEM:Valvo GmbH
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:2SB772, [plus]
2SB772,2SB986
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche
Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

BD376


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -45/-50V
IC -2A
hFE -
Ptot 25W
fT >50MHz
TJ -
le BD376 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 45V, Ic = 2A, d´application: étage de fréquence audio, Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Samsung Semic. Technical...... [plus]
Samsung Semic. Technical Product Inf. 1995 (CD)
Type similaire: BD376
OEM:Samsung Elec... [plus]
Samsung Electronics CO. LTD.
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:BD375
Liste des type similaires:BD178, [plus]
BD178,BD236,BD786,2SB874,2SB875
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

BD376


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -45/-50V
IC -2A
hFE -
Ptot 25W
fT >50MHz
TJ -
le BD376 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 45V, Ic = 2A, d´application: étage de fréquence audio, Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Samsung Semic. Technical...... [plus]
Samsung Semic. Technical Product Inf. 1995 (CD)
Type similaire: BD376
OEM:Samsung Elec... [plus]
Samsung Electronics CO. LTD.
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:BD375
Liste des type similaires:BD178, [plus]
BD178,BD236,BD786,2SB874,2SB875
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

BD376


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -45/-50V
IC -2A
hFE -
Ptot 25W
fT >50MHz
TJ -
le BD376 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 45V, Ic = 2A, d´application: étage de fréquence audio, Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Samsung Semic. Technical...... [plus]
Samsung Semic. Technical Product Inf. 1995 (CD)
Type similaire: BD376
OEM:Samsung Elec... [plus]
Samsung Electronics CO. LTD.
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:BD375
Liste des type similaires:BD178, [plus]
BD178,BD236,BD786,2SB874,2SB875
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche
Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

2SB1009


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -32/-40V
IC -2A
hFE -
Ptot 10W
fT 100MHz
TJ -
le 2SB1009 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 32V, Ic = 2A, d´application: transistor de puissance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: 2SB1009
OEM:Rohm Corpora... [plus]
Rohm Corporation Ltd. Japan
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD1380
Liste des type similaires:BD376, [plus]
BD376,2SA1217,2SB1217
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

2SB1009


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -32/-40V
IC -2A
hFE -
Ptot 10W
fT 100MHz
TJ -
le 2SB1009 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 32V, Ic = 2A, d´application: transistor de puissance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: 2SB1009
OEM:Rohm Corpora... [plus]
Rohm Corporation Ltd. Japan
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD1380
Liste des type similaires:BD376, [plus]
BD376,2SA1217,2SB1217
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

2SB1009


SI PNP transistor
similaire à B632 voir note
GFX
UCE/UCB -32/-40V
IC -2A
hFE -
Ptot 10W
fT 100MHz
TJ -
le 2SB1009 c´est similaire transistor silicium PNP , Uce = 32V, Ic = 2A, d´application: transistor de puissance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: 2SB1009
OEM:Rohm Corpora... [plus]
Rohm Corporation Ltd. Japan
Package: TO-126
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD1380
Liste des type similaires:BD376, [plus]
BD376,2SA1217,2SB1217
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche
Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.