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B638


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE 1-20k
Ptot 80W
fT -
TJ -
le B638 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diode intégrée
Image: -
Source: 2SB638
Informations plus avancées pour B638
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↑2SD628
Liste des type similaires:BDV64B, [plus]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE 1-20k
Ptot 80W
fT -
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le B638 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diode intégrée
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Informations plus avancées pour B638
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Hitachi Ltd. Japan
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UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE 1-20k
Ptot 80W
fT -
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le B638 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diode intégrée
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GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 10A
hFE 1-20k
Ptot 80W
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le 2SD628 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD628
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↑2SB638
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BDV65B,BDX83C,BDX85C,2N6059
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Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD628
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