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B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
le B676 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 80V, Ic = 4A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: 2SB676
Informations plus avancées pour B676
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-220
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
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Type complémentaire:2SD686
Liste des type similaires:BD902, [plus]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
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UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
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IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
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le B676 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 80V, Ic = 4A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
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UCE/UCB 80/100V
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Jaeger electronic catalog 1999
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