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B811


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
le B811 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: Type universel
Image: -
Source: 2SB811
Informations plus avancées pour B811
OEM:Nippon Elect... [plus]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Package:-
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↓2SD1021
Liste des type similaires: ↓BC636, [plus]
BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116
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Composant rech.:recherche

B811


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
le B811 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: Type universel
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GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
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le B811 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: Type universel
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B811


SI PNP transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
le B811 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: amplificateur de puissance à fréquence audio
Image: -
Source: KSB811
Informations plus avancées pour B811
OEM:Samsung Elec... [plus]
Samsung Electronics CO. LTD.
Package:TO-92S
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Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
le B811 c´est transistor silicium PNP , Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: amplificateur de puissance à fréquence audio
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