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HAT1009F


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -30V
IDS DC/AC -2.5A / -10A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.16Ω/2A
Ptot -
fT -
le HAT1009F c´est transistor silicium P-MOSFET , Uds = 30V, Ids = 2.5A, d´application: 2 transistors dans un boîtier, niveau logique, VFET
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour HAT1009F
OEM:Hitachi Ltd.
Package:8-MDIP
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
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Composant rech.:recherche

HAT1009F


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -30V
IDS DC/AC -2.5A / -10A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.16Ω/2A
Ptot -
fT -
le HAT1009F c´est transistor silicium P-MOSFET , Uds = 30V, Ids = 2.5A, d´application: 2 transistors dans un boîtier, niveau logique, VFET
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour HAT1009F
OEM:Hitachi Ltd.
Package:8-MDIP
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
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SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -30V
IDS DC/AC -2.5A / -10A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.16Ω/2A
Ptot -
fT -
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Hitachi Ltd.
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