| J612
SI P-MOSFET transistor | | | UDS | -100V | | | IDS | ±-2A | | UGS | - | | RDS(ON) | <0.45Ω | | Ptot | 20W | | TON/TOFF | 30/100nS | | Image: | - | | Source: | 2SJ612 | | | informations plus avancées pour J612 | | OEM: | Nippon Elect... [plus] Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan | | Package: | - | | Fiche technique (jpg): | - | | Fiche technique (pdf): | - | | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire:
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