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PTE10019


SI N-MOSFET transistor
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 215W
fT -
le PTE10019 c´est transistor silicium N-MOSFET , Uds = 65V, d´application: dans les applications cellulaires, GSM et DAMP pour la bande de 860 à 960MHz
marking code: E10019
Image: -
Source: Ericsson RF power transis...... [plus]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
Informations plus avancées pour PTE10019
OEM:Ericsson Com... [plus]
Ericsson Components AB
Package: 7
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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-
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GFX
UDS 65V
IDS -
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le PTE10019 c´est transistor silicium N-MOSFET , Uds = 65V, d´application: dans les applications cellulaires, GSM et DAMP pour la bande de 860 à 960MHz
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