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G
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BYG60M


si diode
GFX
UR 1kV
IF 650mA
- -
trr 300nS
UF / IF <0.98V/1A
TJ 175°C
the BYG60M is a silicon diode, U=1000V, I=650mA, applications: fast soft recovery controlled avalanche rectifier
marking code: 60MPH
Image: -
Source: Philips Power Diodes 1999
Informations plus avancées pour BYG60M
OEM:Philips Semi... [plus]
Philips Semiconductors
Package: SOD106
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
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-
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Composant rech.:recherche

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- -
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marking code: 60MPH
Image: -
Source: Philips Power Diodes 1999
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marking code: 60MPH
Image: -
Source: Philips Power Diodes 1999
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