R
X
G
Page:

BYW28-600


si diode
GFX
UR 600V
IF 4A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.9V/3.5A
TJ 175°C
the BYW28-600 is an ultrafast silicon diode, U=600V, I=4A, applications: controlled avalanche rectifier
Image: -
Source: Philips Power Diodes 1999
Informations plus avancées pour BYW28-600
OEM:Philips Semi... [plus]
Philips Semiconductors
Package: SOD115
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:
-
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

BYW28-600


si diode
GFX
UR 600V
IF 4A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.9V/3.5A
TJ 175°C
the BYW28-600 is an ultrafast silicon diode, U=600V, I=4A, applications: controlled avalanche rectifier
Image: -
Source: Philips Power Diodes 1999
Informations plus avancées pour BYW28-600
OEM:Philips Semi... [plus]
Philips Semiconductors
Package: SOD115
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:
-
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche

BYW28-600


si diode
GFX
UR 600V
IF 4A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.9V/3.5A
TJ 175°C
the BYW28-600 is an ultrafast silicon diode, U=600V, I=4A, applications: controlled avalanche rectifier
Image: -
Source: Philips Power Diodes 1999
Informations plus avancées pour BYW28-600
OEM:Philips Semi... [plus]
Philips Semiconductors
Package: SOD115
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:
-
Recherche des type similaires:Recherche similaire
Composant rech.:recherche