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BUP200D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
le BUP200D c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: Type universel, diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour BUP200D
OEM:Siemens AG
Package: TO-220AB
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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-
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