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BUP307D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
le BUP307D c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: Type universel, diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour BUP307D
OEM:Siemens AG
Package: TO-3P
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:BUP314D
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BUP307D


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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
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fT -
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

BUP314D


SI N-IGBT transistor
similar to BUP307D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 42A
Ptot 310W
TON/TOFF 140/465nS
TJ -
le BUP314D c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 42A, d´application: Type universel, diode intégrée
Image: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: BUP314D
OEM:Siemens AG
Package: TO-3P
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