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GT15N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/800nS
TJ -
le GT15N101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 15A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour GT15N101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-3P
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:BUP303, [plus]
BUP303,GN12015C
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GT15N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/800nS
TJ -
le GT15N101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 15A, d´application: Niveaux de performance
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-3P
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BUP303,GN12015C
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GT15N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/800nS
TJ -
le GT15N101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 15A, d´application: Niveaux de performance
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Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour GT15N101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-3P
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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Liste des type similaires:BUP303, [plus]
BUP303,GN12015C
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

BUP303


SI N-IGBT transistor
similar to GT15N101, see note
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ 150°C
le BUP303 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 21A, d´application: Type universel
Image: -
Source: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [plus]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Type similaire: BUP303
OEM:Siemens AG
Package: TO-218AA
Fiche technique (jpg):disponible
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OEM Fiche technique:-
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BUP303


SI N-IGBT transistor
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UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ 150°C
le BUP303 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 21A, d´application: Type universel
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SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Type similaire: BUP303
OEM:Siemens AG
Package: TO-218AA
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SI N-IGBT transistor
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UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ 150°C
le BUP303 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 21A, d´application: Type universel
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Source: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [plus]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Type similaire: BUP303
OEM:Siemens AG
Package: TO-218AA
Fiche technique (jpg):disponible
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

GN12015C


SI N-IGBT transistor
similar to GT15N101, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
fT -
TJ -
le GN12015C c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 15A, d´application: Niveaux de performance
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Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: GN12015C
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3P
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GN12015C


SI N-IGBT transistor
similar to GT15N101, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
fT -
TJ -
le GN12015C c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 15A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Type similaire: GN12015C
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3P
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GN12015C


SI N-IGBT transistor
similar to GT15N101, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
fT -
TJ -
le GN12015C c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 15A, d´application: Niveaux de performance
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Type similaire: GN12015C
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3P
Fiche technique (jpg):-
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OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:GT15Q101
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.