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GT5J311


SI N-IGBT transistor
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 5/10A
Ptot 45W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
le GT5J311 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 5A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: datasheet
Informations plus avancées pour GT5J311
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-10S1C
Fiche technique (jpg):-
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