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GT8N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
le GT8N101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1kV, Ic = 8A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-3P
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:BUP302
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Composant rech.:recherche

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