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MG50Q2YS40


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 400W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
le MG50Q2YS40 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 50A, d´application: Transistor de commutation de puissance, 2 transistors dans un boîtier, contrôle mote... [plus]
le MG50Q2YS40 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.2kV, Ic = 50A, d´application: Transistor de commutation de puissance, 2 transistors dans un boîtier, contrôle moteur
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Informations plus avancées pour MG50Q2YS40
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-94D1A
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
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-
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MG50Q2YS40


SI N-IGBT transistor
GFX
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UGE ±20V
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Ptot 400W
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Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Informations plus avancées pour MG50Q2YS40
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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