transistor B601 schede tecn.

B601

SI PNP darlington transistor

GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-5A

h_FE

>2000

P_tot

30W

f_T

T_J

le B601 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 5A, d´application: diode intégrée

Image:

Source:

2SB601

Informations plus avancées pour B601
OEM:	Nippon Elect... [plus] Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Package:	TO-220
Fiche technique (jpg):	-
Fiche technique (pdf):	-
OEM Fiche technique:	-
Type complémentaire: ↓	2SD560
Liste des type similaires: ↓	BD650, [plus] BD650,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,2SB1339
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>2000

P_tot

30W

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>2000

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30W

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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-5A

h_FE

2-15k

P_tot

30W

f_T

T_J

150°C

le B601 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 5A, d´application: amplificateur de puissance basse fréquence et transistor de commutation à vitesse... [plus]

le B601 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 5A, d´application: amplificateur de puissance basse fréquence et transistor de commutation à vitesse moyenne à usage industriel

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