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B650


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -15A
hFE 1-20k
Ptot 100W
fT -
TJ -
le B650 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 15A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: 2SB650
Informations plus avancées pour B650
OEM:Japan
Package: TO-3
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD670
Liste des type similaires:BDV66A, [plus]
BDV66A,BDW84C,BDX66B,MJ4032
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -15A
hFE 1-20k
Ptot 100W
fT -
TJ -
le B650 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 15A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
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Informations plus avancées pour B650
OEM:Japan
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -15A
hFE 1-20k
Ptot 100W
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2SD670


SI NPN darlington transistor
type complémentaire à B650
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC DC/AC 15/20A
hFE 1-20k
Ptot 100W
TON/TOFF 2/8µS
TJ -
le 2SD670 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 15A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD670
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SB650
Liste des type similaires:BDX67B, [plus]
BDX67B,MJ4035
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SI NPN darlington transistor
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GFX
UCE/UCB 100/100V
IC DC/AC 15/20A
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Ptot 100W
TON/TOFF 2/8µS
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Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD670
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
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UCE/UCB 100/100V
IC DC/AC 15/20A
hFE 1-20k
Ptot 100W
TON/TOFF 2/8µS
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le 2SD670 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 15A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
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Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD670
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
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Liste des type similaires:BDX67B, [plus]
BDX67B,MJ4035
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