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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
le B679 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 1.5A
Image: -
Source: 2SB679
Informations plus avancées pour B679
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-220
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↑2SD689
Liste des type similaires:BDW54C, [plus]
BDW54C,2SB751B
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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
le B679 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 1.5A
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
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le B679 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 1.5A
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI NPN darlington transistor
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GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
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le 2SD689 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 1.5A, d´application: étage de fréquence audio, Transistor de commutation
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD689
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package: TO-220
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BDT61B,2SD1194
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UCE/UCB 100/100V
IC 1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
le 2SD689 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 1.5A, d´application: étage de fréquence audio, Transistor de commutation
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GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
le 2SD689 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 1.5A, d´application: étage de fréquence audio, Transistor de commutation
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Jaeger electronic catalog 1999
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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