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B693


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -20A
hFE 1-20k
Ptot 125W
fT -
TJ -
le B693 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 20A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: 2SB693
Informations plus avancées pour B693
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SD729
Liste des type similaires:BDX68B, [plus]
BDX68B,MJ11013,2N6287
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -20A
hFE 1-20k
Ptot 125W
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le B693 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 20A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -20A
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Ptot 125W
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SI NPN darlington transistor
type complémentaire à B693
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC DC/AC 20/30A
hFE 1-20k
Ptot 125W
TON/TOFF 2/8µS
TJ -
le 2SD729 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 20A, d´application: diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD729
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-3
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:2SB693
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BDX69B,MJ11014
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UCE/UCB 100/100V
IC DC/AC 20/30A
hFE 1-20k
Ptot 125W
TON/TOFF 2/8µS
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UCE/UCB 100/100V
IC DC/AC 20/30A
hFE 1-20k
Ptot 125W
TON/TOFF 2/8µS
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le 2SD729 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 100V, Ic = 20A, d´application: diode intégrée
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