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GT50J101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
le GT50J101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Informations plus avancées pour GT50J101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F1C
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
Liste des type similaires:GN6050E
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Composant rech.:recherche

GT50J101


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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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