GT50J102 SI N-IGBT transistor | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | Toshiba IGBT Databook 199...... [plus] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Informations plus avancées pour GT50J102 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-21F2C | Fiche technique (jpg): | disponible | Fiche technique (pdf): | disponible | Type complémentaire:
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