GT5J311 SI N-IGBT transistor | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 5/10A | Ptot | 45W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Image: | - | Source: | datasheet | | Informations plus avancées pour GT5J311 | OEM: | Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Package: | 2-10S2C_SM | Fiche technique (jpg): | - | Fiche technique (pdf): | - | OEM Fiche technique: | - | Type complémentaire:
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