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MG100J2YS50


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 100/200A
Ptot 450W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
le MG100J2YS50 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 100A, d´application: Transistor de commutation de puissance, 2 transistors dans un boîtier, contrôle mot... [plus]
le MG100J2YS50 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 100A, d´application: Transistor de commutation de puissance, 2 transistors dans un boîtier, contrôle moteur
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour MG100J2YS50
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-94D1A
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
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-
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MG100J2YS50


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Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
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OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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