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MG90V2YS40


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1700V
UGE ±20V
IC DC/AC 90/180A
Ptot 1.1kW
TON/TOFF 500/1000nS
TJ 150°C
le MG90V2YS40 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.7kV, Ic = 90A, d´application: Transistor de commutation de puissance, 2 transistors dans un boîtier, contrôle mote... [plus]
le MG90V2YS40 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.7kV, Ic = 90A, d´application: Transistor de commutation de puissance, 2 transistors dans un boîtier, contrôle moteur
Image: -
Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour MG90V2YS40
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-94C1A
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
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Composant rech.:recherche

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SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1700V
UGE ±20V
IC DC/AC 90/180A
Ptot 1.1kW
TON/TOFF 500/1000nS
TJ 150°C
le MG90V2YS40 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 1.7kV, Ic = 90A, d´application: Transistor de commutation de puissance, 2 transistors dans un boîtier, contrôle mote... [plus]
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Source: Toshiba IGBT Databook 199...... [plus]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
informations plus avancées pour MG90V2YS40
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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