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G
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BAV10


si diode
GFX
UR 60V
IF 300mA
- -
trr 6nS
UF / IF <1V/200mA
TJ 200°C
the BAV10 is a silicon planar epitaxial ultra high speed and high conductance diode primarily intended for core gating in fast memory modules
Image: -
Source: Va Valvo Handbuch Halblei...... [plus]
Va Valvo Handbuch Halbleiterdioden 1971
Informations plus avancées pour BAV10
OEM:Valvo GmbH
Package: DO-35
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
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- -
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