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BAV12


si diode
GFX
UR 90V
IF 350mA
Ptot 0.5W
trr 10nS
UF / IF <0.77V/10mA
TJ 175°C
the BAV12 is a silicon diode, U = 90V, I = 350mA, applications: switch
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Informations plus avancées pour BAV12
OEM:Texas Instru... [plus]
Texas Instruments
Package: DO-35
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:
-
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Ptot 0.5W
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